核辐射探测：9N 级超高纯锗锭（杂质总量≤0.1ppm）可制成高纯锗探测器，对 γ 射线、X 射线具有的能量分辨率，用于核工业、医疗成像（如 PET-CT）、环境辐射监测等场景。
商业航天与光伏：锗锭用于制备空间太阳能电池的衬底材料，适配太空高辐射、极端温度环境，是卫星、空间站供电系统的核心部件；但目前需求规模较小，2025 年全球光伏用锗需求不足 5 吨。
行业数据佐证：结合 USGS（美国地质调查局）及行业报告数据，全球锗消费中红外（36%）、光纤（34%）为前两大领域，半导体领域以 18% 位居第三，且该领域的锗原料几乎均为区熔锗锭 —— 高纯度区熔锗锭是制备锗单晶、半导体靶材、高纯锗探测器的原料，无替代工艺可满足其电子迁移率、杂质控制等核心要求。
预处理提纯工艺：
化学净化：混合酸（HF:HNO₃=3:1）腐蚀去除表面杂质，去离子水清洗后真空烘干（120~150℃，2~3 小时）；
真空烧结：将锗粉压块后在 800~900℃真空环境下烧结，去除孔隙与吸附气体，提升原料致密度。
