纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。
电学性能：电阻率（25℃时）需符合标准，6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm，纯度越高电阻率越稳定。
原料供给依赖主矿副产品：区熔锗锭原料（粗锗、还原锗粉）主要来自铅锌冶炼副产品及锗矿回收，主矿开采规模、冶炼回收率直接影响原料供应量，进而传导至区熔锗锭价格。
回收体系不完善：目前锗资源回收主要集中于废旧光纤、半导体器件，回收技术门槛高、回收率有限（约 30%），尚未形成规模化补充，难以缓解原生资源短缺压力。
