原料预处理
原料选择：选用纯度约 5N（99.999%）的粗锗锭或还原锗粉，通常来自 GeCl₄水解、GeO₂氢还原等工艺产出的初级金属锗。
表面净化：用混合酸（如 HF+HNO₃）腐蚀去除表面氧化层与油污，再经去离子水清洗、真空烘干，防止杂质带入后续工序。
破碎与成型：将净化后的锗料破碎成均匀颗粒，压制成与石英舟适配的条状或块状，减少区熔时的缩孔与偏析。
区熔提纯（核心步骤）
熔区建立：采用高频感应加热或红外聚焦加热，在锗料中部形成宽度 1~3cm 的窄熔区，温度控制在锗熔点（937℃）以上 50~100℃，确保局部熔化、整体固态。
熔区移动与多道次提纯
以 15~120mm/h 的速率移动熔区，杂质随熔区向尾料端偏析，纯锗在熔区前方结晶。
单次区熔提纯有限，需重复 8~20 道次，根据目标纯度调整次数，每道次后熔区反向移动可提升均匀性。
参数控制：控制加热功率、熔区移动速率与温度梯度，避免局部过热导致锗挥发或石英舟变形，同时减少热应力与晶体缺陷。
后处理
冷却与脱模：区熔结束后，以 2~5℃/min 速率分段降温，500℃以下慢速冷却，防止内应力开裂，冷却后取出锗锭。
切头切尾：切除含高浓度杂质的尾料与籽晶部分，保留中间高纯段。
检测分级：通过电阻率测试、ICP-MS 分析杂质含量，按纯度分级（如 6N、7N、8N），合格产品包装入库，不合格品返回原料重熔。
退火处理（可选）：对高纯锗锭进行 400~500℃真空退火，消除内应力，提升晶体完整性，满足半导体单晶制备需求。
锦鑫业务回收范围：
冶炼厂：黄金，白银，铂金，钯金，铑金，银锌电瓶，以及粗铅,贵铅,阳极泥等废料;
矿山厂：铜粉，铅粉，活性炭，载金炭，炭泥，银粉，银泥，金泥，一切炼金，炼银，炼铂，钯铑的废渣废料等。
电镀厂：金盐、银盐、金银废水等废料；
电子厂：电子厂回收：半导体蓝膜，半导体镀金硅片、镀银瓷片、压敏电阻、薄膜开关，废冷光片，背光源，废银浆、钯浆、擦银布、擦金布，银浆罐、金浆罐、含钯陶瓷片，含金陶瓷片，含银的陶瓷片、银焊条、银焊丝、银粉、导电银胶，镀金，镀银，镀铑镀铂等废料。
