物理性质：具有银灰色金属光泽，条状，梯形截面，性脆，易断裂，硬度 5.0 左右，微导电，属于典型的半导体。其密度为 5.35g/mL，熔点为 937℃，沸点为 2830℃，不溶于盐酸、硝酸和常碱，但溶于 HF、王水和热的 NaOH 溶液中。
资源分布与产量：锗在地壳中含量极其稀少，且多伴生于铅锌矿、煤矿等矿石中。中国是世界上的精制锗生产国，在全世界每年生产的 150 公吨金属中约占 70%，其他主要生产国包括俄罗斯和加拿大。
原料预处理
原料选择：选用纯度约 5N（99.999%）的粗锗锭或还原锗粉，通常来自 GeCl₄水解、GeO₂氢还原等工艺产出的初级金属锗。
表面净化：用混合酸（如 HF+HNO₃）腐蚀去除表面氧化层与油污，再经去离子水清洗、真空烘干，防止杂质带入后续工序。
破碎与成型：将净化后的锗料破碎成均匀颗粒，压制成与石英舟适配的条状或块状，减少区熔时的缩孔与偏析。
移动速度过快的影响
杂质偏析不彻底，纯度不达标：快速移动时，熔区向前推进速度超过杂质在液相中的扩散速度，杂质无法及时随熔区向尾料迁移，会被 “截留” 在结晶的固相锗中，导致锗锭主体纯度下降，无法达到 6N 及以上的目标纯度要求。
晶体生长不稳定，易形成柱状晶或枝晶：过快的移动速度会使固 - 液界面变得陡峭，晶体生长方向紊乱，容易形成柱状晶或枝晶结构，破坏晶体的完整性，后续加工时锗锭易脆断。
熔区形态不稳定：速度过快可能导致熔区拉长、变形，甚至出现 “断熔” 现象，造成局部未熔或过熔，影响整根锗锭的提纯均匀性。
