锗锭的核心分类与差异
除了之前重点介绍的区熔锗锭，工业中常见的锗锭还包括以下类型，核心差异集中在提纯工艺、纯度与用途：
类型
提纯方法
纯度范围
关键特点
主要应用
区熔锗锭（FZ-Ge）
水平 / 垂直区熔法
6N~9N（99.9999%~99.9999999%）
杂质偏析彻底，晶体完整性高，半导体特性优异
锗单晶、红外光学材料、半导体器件
真空熔炼锗锭
真空高温熔炼
4N~5N（99.99%~99.999%）
生产效率高，成本较低，纯度适中
锗合金、低档光学部件、含锗化合物原料
电解精炼锗锭
电化学还原 + 精炼
5N~6N
杂质去除效率稳定，适合批量生产
光纤用锗掺杂剂、靶材中间体
锗锭的关键质量指标
纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。
电学性能：电阻率（25℃时）需符合标准，6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm，纯度越高电阻率越稳定。
化学杂质：重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质，其中 O 含量需≤5ppm（避免影响晶体导电性），重金属杂质≤0.1ppm。
外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。
半导体与电子领域：6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料，进一步加工为锗晶圆，用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等，广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。
红外光学领域：高纯度锗锭经切片、抛光后，制成红外光学镜片、窗口材料，具有优异的红外透过率（2~14μm 波段透过率≥40%），用于红外热像仪、导弹制导系统、卫星遥感设备。
光纤通信领域：锗锭加工为锗粉或 GeCl₄，作为光纤芯层的掺杂剂，可提升光纤的折射率和传输性能，是通信光纤的关键原料之一。
其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。
锦鑫业务回收范围：
冶炼厂：黄金，白银，铂金，钯金，铑金，银锌电瓶，以及粗铅,贵铅,阳极泥等废料;
矿山厂：铜粉，铅粉，活性炭，载金炭，炭泥，银粉，银泥，金泥，一切炼金，炼银，炼铂，钯铑的废渣废料等。
电镀厂：金盐、银盐、金银废水等废料；
电子厂：电子厂回收：半导体蓝膜，半导体镀金硅片、镀银瓷片、压敏电阻、薄膜开关，废冷光片，背光源，废银浆、钯浆、擦银布、擦金布，银浆罐、金浆罐、含钯陶瓷片，含金陶瓷片，含银的陶瓷片、银焊条、银焊丝、银粉、导电银胶，镀金，镀银，镀铑镀铂等废料。
