资源分布与产量：锗在地壳中含量极其稀少，且多伴生于铅锌矿、煤矿等矿石中。中国是世界上的精制锗生产国，在全世界每年生产的 150 公吨金属中约占 70%，其他主要生产国包括俄罗斯和加拿大。
适宜的移动速度范围
区熔锗锭的熔区移动速度通常控制在 15~120mm/h，具体需根据锗料初始纯度、目标纯度、熔区宽度调整：
初始纯度低（如 5N 粗锗）或目标纯度高（如 7N、8N）时，选择偏慢的速度（15~40mm/h），保证杂质充分偏析；
初始纯度较高或追求生产效率时，可适当提高速度（60~120mm/h）。
半导体与电子领域：6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料，进一步加工为锗晶圆，用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等，广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。
红外光学领域：高纯度锗锭经切片、抛光后，制成红外光学镜片、窗口材料，具有优异的红外透过率（2~14μm 波段透过率≥40%），用于红外热像仪、导弹制导系统、卫星遥感设备。
光纤通信领域：锗锭加工为锗粉或 GeCl₄，作为光纤芯层的掺杂剂，可提升光纤的折射率和传输性能，是通信光纤的关键原料之一。
其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。
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