后处理
冷却与脱模：区熔结束后，以 2~5℃/min 速率分段降温，500℃以下慢速冷却，防止内应力开裂，冷却后取出锗锭。
切头切尾：切除含高浓度杂质的尾料与籽晶部分，保留中间高纯段。
检测分级：通过电阻率测试、ICP-MS 分析杂质含量，按纯度分级（如 6N、7N、8N），合格产品包装入库，不合格品返回原料重熔。
退火处理（可选）：对高纯锗锭进行 400~500℃真空退火，消除内应力，提升晶体完整性，满足半导体单晶制备需求。
移动速度过快的影响
杂质偏析不彻底，纯度不达标：快速移动时，熔区向前推进速度超过杂质在液相中的扩散速度，杂质无法及时随熔区向尾料迁移，会被 “截留” 在结晶的固相锗中，导致锗锭主体纯度下降，无法达到 6N 及以上的目标纯度要求。
晶体生长不稳定，易形成柱状晶或枝晶：过快的移动速度会使固 - 液界面变得陡峭，晶体生长方向紊乱，容易形成柱状晶或枝晶结构，破坏晶体的完整性，后续加工时锗锭易脆断。
熔区形态不稳定：速度过快可能导致熔区拉长、变形，甚至出现 “断熔” 现象，造成局部未熔或过熔，影响整根锗锭的提纯均匀性。
行业现状与发展趋势
资源与产能：锗为稀缺分散元素，全球探明储量约 8600 吨，中国储量占比 41%，是全球的锗生产国（2023 年产能约 105 吨，占全球 70%），主要产区集中在云南、贵州、四川等地。
市场需求：随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展，高纯度区熔锗锭需求持续增长，尤其是 8N 级以上超高纯锗锭，市场缺口逐渐扩大。
技术趋势：未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”，如开发多场耦合区熔技术（电磁 + 温度梯度）、优化熔区参数控制算法，实现 9N 级锗锭的规模化生产；同时，锗资源的回收利用（如从废旧光纤、半导体器件中回收锗）将成为重要发展方向，缓解资源短缺压力。
首饰厂：抛光打磨粉，地毯，洗手池等废料；
印刷厂：印刷废菲林、X光片、定影水；
化工石油厂：钯，铂，铑，钌催化剂等。
小金属：粗铟，精铟，铟靶材，粗稼，金属镓99.99以及废料。高价回收镍片，铣刀， 数控刀片， 轻质数控刀，废合金针，针尖，铟.铟丝.氧化铟.
